我校学子斩获首届GaNFast™氮化镓 (GaN) 半导体功率 IC 应用设计大赛冠军
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发布者:admin 发布时间:2020-01-09 15:52 点击:1042
2019年12月21日,由 Navitas 纳微半导体发起,21Dianyuan 共同举办的首届GaNFast™氮化镓 (GaN) 半导体功率 IC 应用设计大赛中,我校电源技术行业学院16级学生高平稳同学荣获65W PD方案组冠军——“开源创新奖”,获得奖金40,000元。电源技术行业学院在赛中获得业界各方褒奖和祝贺。
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